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通用性和速度是最新生產線的ENGIS研磨和拋光機的標志。
有各種設備適用于半導體生產中各種高質量陶瓷元器件產品的研磨拋光工藝。硅片尺寸最大可應用于12英寸尺寸的卡盤。
針對晶圓片厚度控制、晶圓片平面度、表面粗糙度和平行度的預先拋光工藝。
比如半導體制造的等離子蝕刻技術
真空工藝(如CVD)
晶，對基礎等進行固定，搬運，矯正。還有半導體制造技術
隨著革新耐等離子性被要求Ceramic靜電拉鏈是必不可少的。
研磨設備以及案例
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